飛楊電源技術(shù)(深圳)有限公司

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而在電路未啟動之前，由于高壓端啟動電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動的電壓，一旦電路有問題一下啟動不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會啟動的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)。●為何要按照IC的工作電壓低端取值？因為我們次級繞組是與初級繞組相鄰繞制的，耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗也是做次級的輸出短路，因為耦合效果好，次級短路時VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時電路得到的保護。需要注意這個電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上，避免驅(qū)動不足。









如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護點。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風路。

理由：開關(guān)管工作時容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設(shè)計時，要設(shè)計成長短一至，焊盤孔間隔要小。 理由：SR的尾部留長是一樣長的，當兩個焊盤孔間隔太遠時，會造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠離AC端，改善EMI傳導(dǎo)。 理由：高頻信號會通過AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測到引起EMI問題 62.驅(qū)動電阻應(yīng)靠近MOS管。 理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性

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